На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | C106B | C106BG | C106D | C106D1 | C106D1G | C106DG | C106M | C106M1 | C106M1G | C106MG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-225-3 | |||||||||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||||||
Repetitive peak off-state voltage | V | <200 В | <200 В | <400 В | <400 В | <400 В | <400 В | <600 В | <600 В | <600 В | <600 В |
Напруга відмикання | VGT | <800 мВ | |||||||||
Максимальний середній струм у відкритому стані при вказаній температурі корпусу | IT(AV) | <2.55 А | |||||||||
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані | IT(RMS) | <4 А | |||||||||
Струм відмикання | IGT | <200 мкА | |||||||||
Струм утримання | IH | <3 мА | |||||||||
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <20 А | |||||||||
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate | |||||||||