BT258

BT258, BT258-500R,127, BT258-600R,127, BT258-800R,127, BT258S-800LT,118, BT258S-800R,118, BT258U-600R,127, BT258X-500R,127, BT258X-600R,127, BT258X-800R,127

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBT258-500R,127BT258-600R,127BT258-800R,127BT258S-800LT,118BT258S-800R,118BT258U-600R,127BT258X-500R,127BT258X-600R,127BT258X-800R,127
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220AB-3TO-220AB-3TO-220AB-3DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)TO-220-3 Full PackTO-220-3 Full PackTO-220-3 Full Pack
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвір
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<500 В<600 В<800 В<800 В<800 В<600 В<500 В<600 В<800 В
Напруга відмикання
VGT
<1.5 В
Максимальний середній струм у відкритому стані при вказаній температурі корпусу
IT(AV)
<5 А
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані
IT(RMS)
<8 А
Струм відмикання
IGT
<200 мкА<200 мкА<200 мкА<50 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА
Струм утримання
IH
<6 мА
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<75 А
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<82 А
Тип тиристора
Тип
Sensitive Gate