BT169B,126

BT169, BT169B,126, BT169D/01,112, BT169D,112, BT169D,116, BT169D,126, BT169D-L,112, BT169G,112, BT169G,126, BT169H,412

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBT169B,126BT169D/01,112BT169D,112BT169D,116BT169D,126BT169D-L,112BT169G,112BT169G,126BT169H,412
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<200 В<400 В<400 В<400 В<400 В<400 В<600 В<600 В<800 В
Напруга відмикання
VGT
<800 мВ
Максимальний середній струм у відкритому стані при вказаній температурі корпусу
IT(AV)
<500 мА
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані
IT(RMS)
<800 мА
Струм відмикання
IGT
<200 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА<50 мкА<200 мкА<200 мкА<100 мкА
Струм утримання
IH
<5 мА<5 мА<5 мА<5 мА<5 мА<5 мА<5 мА<5 мА<3 мА
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<9 А
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<9 А<9 А<9 А<9 А<9 А<9 А<9 А<9 А<10 А
Тип тиристора
Тип
Sensitive Gate