На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BT168E,112 | BT168G,112 | BT168GW,115 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий |
Repetitive peak off-state voltage | V | <500 В | <600 В | <600 В |
Напруга відмикання | VGT | <800 мВ | ||
Максимальний середній струм у відкритому стані при вказаній температурі корпусу | IT(AV) | <500 мА | <500 мА | <630 мА |
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані | IT(RMS) | <800 мА | <800 мА | <1 А |
Струм відмикання | IGT | <200 мкА | ||
Струм утримання | IH | <5 мА | ||
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 10мс (50 Гц) | ITSM/50Hz | <8 А | ||
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <9 А | ||
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate | ||