На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BT150-500R,127 | BT150S-600R,118 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB-3 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий |
Repetitive peak off-state voltage | V | <500 В | <600 В |
Напруга відмикання | VGT | <1.5 В | |
Максимальний середній струм у відкритому стані при вказаній температурі корпусу | IT(AV) | <2.5 А | |
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані | IT(RMS) | <4 А | |
Струм відмикання | IGT | <200 мкА | |
Струм утримання | IH | <6 мА | |
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 10мс (50 Гц) | ITSM/50Hz | <35 А | |
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <38 А | |
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate | |