На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BT149B,126 | BT149D,112 | BT149D,126 | BT149G,126 | BT149G,412 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||
Repetitive peak off-state voltage | V | <200 В | <400 В | <400 В | <600 В | <600 В |
Напруга відмикання | VGT | <800 мВ | ||||
Максимальний середній струм у відкритому стані при вказаній температурі корпусу | IT(AV) | <500 мА | ||||
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані | IT(RMS) | <800 мА | ||||
Струм відмикання | IGT | <200 мкА | ||||
Струм утримання | IH | <5 мА | ||||
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 10мс (50 Гц) | ITSM/50Hz | <8 А | ||||
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <9 А | ||||
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate | ||||