На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
Параметр | 2N5060G | 2N5060RLRA | 2N5060RLRAG | 2N5060RLRM | 2N5060RLRMG | |
---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||
Repetitive peak off-state voltage | V | <30 В | ||||
Напруга відмикання | VGT | <800 мВ | ||||
Максимальний середній струм у відкритому стані при вказаній температурі корпусу | IT(AV) | <510 мА | ||||
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані | IT(RMS) | <800 мА | ||||
Струм відмикання | IGT | <200 мкА | ||||
Струм утримання | IH | <5 мА | ||||
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <10 А | ||||
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate |