На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STG3P2M10N60B | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SEMITOP®2 |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <19 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В |
Потужність | P | <56 Вт |
Тип входу IGBT | Вхід | Single Phase Bridge Rectifier |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 7A |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <10 мкА |
Тип збірки IGBT | Тип | Three Phase Inverter |
Вхідна ємність IGBT | Cies | 720 пФVce = 25V |
Наявність NTC термістора | NTC | Ні |