MWI50-06A7T

MWI50, MWI50-06A7, MWI50-06A7T, MWI50-12A7, MWI50-12A7T, MWI50-12E6K, MWI50-12E7, MWI50-12T7T

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMWI50-06A7MWI50-06A7TMWI50-12A7MWI50-12A7TMWI50-12E6KMWI50-12E7MWI50-12T7T
Корпус мікросхеми
Корпус
E2E2E2E2E1E2E2
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<72 А<72 А<85 А<85 А<51 А<90 А<80 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ
Потужність
P
<225 Вт<225 Вт<350 Вт<350 Вт<210 Вт<350 Вт<270 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.9 ВVge, Ic = 15V, 35A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.15 ВVge, Ic = 15V, 50A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<600 мкА<600 мкА<4 мА<4 мА<300 мкА<800 мкА<4 мА
Тип збірки IGBT
Тип
Three Phase Inverter
Вхідна ємність IGBT
Cies
2.8 нФVce = 25V2.8 нФVce = 25V3.3 нФVce = 25V3.3 нФVce = 25V2 нФVce = 25V3.8 нФVce = 25V3.5 нФVce = 25V
Наявність NTC термістора
NTC
НіТакНіТакТакНіТак