На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MWI200-06A8 | MWI200-06A8T | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | E3 | |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <225 А | |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В | |
Потужність | P | <675 Вт | |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 200A | |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <1.8 мА | |
Тип збірки IGBT | Тип | Three Phase Inverter | |
Вхідна ємність IGBT | Cies | 9 нФVce = 25V | |
Наявність NTC термістора | NTC | Ні | |