На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MWI150-06A8 | MWI150-06A8T | MWI150-12T8T | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | E3 | ||
Виробник | Виробник | IXYS | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <170 А | <170 А | <215 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В | <600 В | <1.2 кВ |
Потужність | P | <515 Вт | <515 Вт | <690 Вт |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | ||
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 150A | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 150A | <2.1 ВVge, Ic = 15V, 150A |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <1.5 мА | <1.5 мА | <6 мА |
Тип збірки IGBT | Тип | Three Phase Inverter | ||
Вхідна ємність IGBT | Cies | 6.5 нФVce = 25V | 6.5 нФVce = 25V | 10.77 нФVce = 25V |
Наявність NTC термістора | NTC | Ні | Ні | Так |