MWI100-06A8T

MWI100, MWI100-06A8, MWI100-06A8T, MWI100-12A8, MWI100-12A8T, MWI100-12E8, MWI100-12T8T

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMWI100-06A8MWI100-06A8TMWI100-12A8MWI100-12A8TMWI100-12E8MWI100-12T8T
Корпус мікросхеми
Корпус
E3
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<130 А<130 А<160 А<160 А<165 А<145 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ
Потужність
P
<410 Вт<410 Вт<640 Вт<640 Вт<640 Вт<480 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.1 ВVge, Ic = 15V, 100A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<1.2 мА<1.2 мА<6.3 мА<6.3 мА<1.4 мА<4 мА
Тип збірки IGBT
Тип
Three Phase Inverter
Вхідна ємність IGBT
Cies
4.3 нФVce = 25V4.3 нФVce = 25V6.5 нФVce = 25V6.5 нФVce = 25V7.4 нФVce = 25V7.21 нФVce = 25V
Наявність NTC термістора
NTC
НіНіНіНіНіТак