На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MWI100-06A8 | MWI100-06A8T | MWI100-12A8 | MWI100-12A8T | MWI100-12E8 | MWI100-12T8T | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | E3 | |||||
Виробник | Виробник | IXYS | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <130 А | <130 А | <160 А | <160 А | <165 А | <145 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В | <600 В | <1.2 кВ | <1.2 кВ | <1.2 кВ | <1.2 кВ |
Потужність | P | <410 Вт | <410 Вт | <640 Вт | <640 Вт | <640 Вт | <480 Вт |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | |||||
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 100A | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 100A | <2.6 ВVge, Ic = 15V, 100A | <2.6 ВVge, Ic = 15V, 100A | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 100A | <2.1 ВVge, Ic = 15V, 100A |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <1.2 мА | <1.2 мА | <6.3 мА | <6.3 мА | <1.4 мА | <4 мА |
Тип збірки IGBT | Тип | Three Phase Inverter | |||||
Вхідна ємність IGBT | Cies | 4.3 нФVce = 25V | 4.3 нФVce = 25V | 6.5 нФVce = 25V | 6.5 нФVce = 25V | 7.4 нФVce = 25V | 7.21 нФVce = 25V |
Наявність NTC термістора | NTC | Ні | Ні | Ні | Ні | Ні | Так |