На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MUBW35-06A6 | MUBW35-06A6K | MUBW35-12A7 | MUBW35-12A8 | MUBW35-12E7 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | E1 | E1 | E2 | E3 | E2 |
Виробник | Виробник | IXYS | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <38 А | <42 А | <50 А | <50 А | <52 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В | <600 В | <1.2 кВ | <1.2 кВ | <1.2 кВ |
Потужність | P | <104 Вт | <130 Вт | <225 Вт | <225 Вт | <225 Вт |
Тип входу IGBT | Вхід | Three Phase Bridge Rectifier | ||||
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 30A | <2.7 ВVge, Ic = 15V, 35A | <3.1 ВVge, Ic = 15V, 35A | <3.1 ВVge, Ic = 15V, 35A | <2.8 ВVge, Ic = 15V, 35A |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <1 мА | <750 мкА | <1.1 мА | <1.1 мА | <400 мкА |
Тип збірки IGBT | Тип | Three Phase Inverter with Brake | ||||
Вхідна ємність IGBT | Cies | 1.6 нФVce = 25V | 1.6 нФVce = 25V | 1.65 нФVce = 25V | 1.65 нФVce = 25V | 2 нФVce = 25V |
Наявність NTC термістора | NTC | Так | ||||