MUBW30

MUBW30, MUBW30-06A7, MUBW30-12A6, MUBW30-12A6K, MUBW30-12E6K

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMUBW30-06A7MUBW30-12A6MUBW30-12A6KMUBW30-12E6K
Корпус мікросхеми
Корпус
E2E1E1E1
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<50 А<31 А<30 А<30 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ
Потужність
P
<180 Вт<104 Вт<130 Вт<130 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Three Phase Bridge Rectifier
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.3 ВVge, Ic = 15V, 30A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 15A<3.8 ВVge, Ic = 15V, 30A<3.6 ВVge, Ic = 15V, 30A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<600 мкА<1 мА<1 мА<1 мА
Тип збірки IGBT
Тип
Three Phase Inverter with Brake
Вхідна ємність IGBT
Cies
1.6 нФVce = 25V1 нФVce = 25V1 нФVce = 25V1.18 нФVce = 25V
Наявність NTC термістора
NTC
Так