MUBW15

MUBW15, MUBW15-06A6, MUBW15-06A6K, MUBW15-06A7, MUBW15-12A6, MUBW15-12A6K, MUBW15-12A7, MUBW15-12T7

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMUBW15-06A6MUBW15-06A6KMUBW15-06A7MUBW15-12A6MUBW15-12A6KMUBW15-12A7MUBW15-12T7
Корпус мікросхеми
Корпус
E1E1E2E1E1E2E2
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<18 А<19 А<25 А<18 А<19 А<35 А<30 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ
Потужність
P
<61 Вт<75 Вт<100 Вт<70 Вт<90 Вт<180 Вт<140 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Three Phase Bridge Rectifier
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 10A<2.9 ВVge, Ic = 15V, 15A<2.3 ВVge, Ic = 15V, 15A<2.9 ВVge, Ic = 15V, 10A<3.4 ВVge, Ic = 15V, 15A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 15A<2.15 ВVge, Ic = 15V, 15A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<1 мА<600 мкА<600 мкА<500 мкА<600 мкА<900 мкА<2.7 мА
Тип збірки IGBT
Тип
Three Phase Inverter with Brake
Вхідна ємність IGBT
Cies
570 пФVce = 25V600 пФVce = 25V800 пФVce = 25V850 нФVce = 25V600 пФVce = 25V1 нФVce = 25V1.1 нФVce = 25V
Наявність NTC термістора
NTC
Так