MUBW100-06A8

MUBW100, MUBW100-06A8

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMUBW100-06A8
Корпус мікросхеми
Корпус
E3
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<125 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В
Потужність
P
<410 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Three Phase Bridge Rectifier
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 100A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<1.4 мА
Тип збірки IGBT
Тип
Three Phase Inverter with Brake
Вхідна ємність IGBT
Cies
4.3 нФVce = 25V
Наявність NTC термістора
NTC
Так