MITB10WB1200TMH

MITB10WB120, MITB10WB1200TMH

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMITB10WB1200TMH
Корпус мікросхеми
Корпус
MiniPack2
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<17 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Потужність
P
<70 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Three Phase Bridge Rectifier
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.2 ВVge, Ic = 15V, 10A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<600 мкА
Тип збірки IGBT
Тип
Three Phase Inverter with Brake
Вхідна ємність IGBT
Cies
600 пФVce = 25V
Наявність NTC термістора
NTC
Так