MII100-12A3

MII100, MII100-12A3

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMII100-12A3
Корпус мікросхеми
Корпус
Y4-M5
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<135 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Потужність
P
<560 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.7 ВVge, Ic = 15V, 75A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<5 мА
Тип збірки IGBT
Тип
Half Bridge
Вхідна ємність IGBT
Cies
5.5 нФVce = 25V
Наявність NTC термістора
NTC
Ні