На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MG200J6ES61 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Модуль |
Виробник | Виробник | Powerex Inc |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <200 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В |
Потужність | P | <1 кВт |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.4 ВVge, Ic = 15V, 200A |
Серія IGBT | Серія | IGBTMOD™ |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <1 мА |
Тип збірки IGBT | Тип | Three Phase Inverter |
Вхідна ємність IGBT | Cies | 40 нФVce = 10V |
Наявність NTC термістора | NTC | Так |