GB35XF120K

GB35XF120, GB35XF120K

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрGB35XF120K
Корпус мікросхеми
Корпус
ECONO2
Виробник
Виробник
Vishay/Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<50 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Потужність
P
<284 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<3 ВVge, Ic = 15V, 50A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 мкА
Тип збірки IGBT
Тип
Three Phase Inverter
Вхідна ємність IGBT
Cies
3.475 нФVce = 30V
Наявність NTC термістора
NTC
Ні