На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | GA200HS60S | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | INT-A-Pak |
Виробник | Виробник | Vishay/Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <470 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В |
Потужність | P | <830 Вт |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <1.25 ВVge, Ic = 15V, 200A |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <1 мА |
Тип збірки IGBT | Тип | Half Bridge |
Вхідна ємність IGBT | Cies | 32.5 нФVce = 30V |
Наявність NTC термістора | NTC | Ні |