GA100TS60U

GA100TS60, GA100TS60U

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрGA100TS60U
Корпус мікросхеми
Корпус
INT-A-PAK (3 + 4)
Виробник
Виробник
Vishay/Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В
Потужність
P
<320 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.1 ВVge, Ic = 15V, 100A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<1 мА
Тип збірки IGBT
Тип
Half Bridge
Вхідна ємність IGBT
Cies
9.837 нФVce = 30V
Наявність NTC термістора
NTC
Ні