GA100TS120U

GA100TS120, GA100TS120U

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрGA100TS120U
Корпус мікросхеми
Корпус
INT-A-PAK (3 + 4)
Виробник
Виробник
Vishay/Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Потужність
P
<520 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.9 ВVge, Ic = 15V, 100A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<1 мА
Тип збірки IGBT
Тип
Half Bridge
Вхідна ємність IGBT
Cies
18.672 нФVce = 30V
Наявність NTC термістора
NTC
Ні