На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FP7G75US60 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | EPM7 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <75 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В |
Потужність | P | <310 Вт |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.8 ВVge, Ic = 15V, 75A |
Серія IGBT | Серія | Power-SPM™ |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <250 мкА |
Тип збірки IGBT | Тип | Half Bridge |
Вхідна ємність IGBT | Cies | 4.515 нФVce = 30V |
Наявність NTC термістора | NTC | Ні |