FII30-12E

FII30, FII30-06D, FII30-12E

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFII30-06DFII30-12E
Корпус мікросхеми
Корпус
ISOPLUS i4-PAC™
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<30 А<33 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В<1.2 кВ
Потужність
P
<100 Вт<150 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 20A<2.9 ВVge, Ic = 15V, 20A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<600 мкА<200 мкА
Тип збірки IGBT
Тип
Half Bridge
Вхідна ємність IGBT
Cies
1.1 нФVce = 25V1.2 нФVce = 25V
Наявність NTC термістора
NTC
Ні