На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | CPV363M4F | CPV363M4K | CPV363M4U | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IMS-2 | ||
Виробник | Виробник | Vishay/Semiconductors | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <16 А | <11 А | <13 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В | ||
Потужність | P | <36 Вт | ||
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | ||
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <1.63 ВVge, Ic = 15V, 16A | <2 ВVge, Ic = 15V, 11A | <2 ВVge, Ic = 15V, 13A |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <250 мкА | ||
Тип збірки IGBT | Тип | Three Phase Inverter | ||
Вхідна ємність IGBT | Cies | 1.1 нФVce = 30V | 740 пФVce = 30V | 1.1 нФVce = 30V |
Наявність NTC термістора | NTC | Ні | ||