CM200D

CM200D, CM200DU-12F, CM200DU-12H, CM200DU-12NFH, CM200DU-24F, CM200DU-24H, CM200DU-24NFH, CM200DU-34KA, CM200DX-24A, CM200DY-12H, CM200DY-12NF, CM200DY-24A, CM200DY-24H, CM200DY-24NF, CM200DY-28H, CM200DY-34A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрCM200DU-12FCM200DU-12HCM200DU-12NFHCM200DU-24FCM200DU-24HCM200DU-24NFHCM200DU-34KACM200DX-24ACM200DY-12HCM200DY-12NFCM200DY-24ACM200DY-24HCM200DY-24NFCM200DY-28HCM200DY-34A
Корпус мікросхеми
Корпус
Модуль
Виробник
Виробник
Powerex Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<200 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.7 кВ<1.2 кВ<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.4 кВ<1.7 кВ
Потужність
P
<590 Вт<650 Вт<590 Вт<890 Вт<1.13 кВт<830 Вт<1.1 кВт<1.25 кВт<780 Вт<650 Вт<1.34 кВт<1.5 кВт<1.13 кВт<1.5 кВт<1.98 кВт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.2 ВVge, Ic = 15V, 200A<3 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 200A<3.7 ВVge, Ic = 15V, 200A<6.5 ВVge, Ic = 15V, 200A<4 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.8 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.2 ВVge, Ic = 15V, 200A<3 ВVge, Ic = 15V, 200A<3.4 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 200A<4.2 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.8 ВVge, Ic = 15V, 200A
Серія IGBT
Серія
IGBTMOD™
Струм відсічення колектора
Ifrc
<1 мА
Тип збірки IGBT
Тип
Half Bridge
Вхідна ємність IGBT
Cies
54 нФVce = 10V17.6 нФVce = 10V55 нФVce = 10V78 нФVce = 10V30 нФVce = 10V32 нФVce = 10V29 нФVce = 10V35 нФVce = 10V20 нФVce = 10V30 нФVce = 10V35 нФVce = 10V40 нФVce = 10V47 нФVce = 10V40 нФVce = 10V49.4 нФVce = 10V
Наявність NTC термістора
NTC
НіНіНіНіНіНіНіТакНіНіНіНіНіНіНі