На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APTGV100H60BTPG | APTGV100H60T3G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SP6 | SP3 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <150 А | |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В | |
Потужність | P | <340 Вт | |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <1.9 ВVge, Ic = 15V, 100A | |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <250 мкА | |
Тип збірки IGBT | Тип | (не задано) | Full Bridge Inverter |
Вхідна ємність IGBT | Cies | 6.1 нФVce = 25V | |
Наявність NTC термістора | NTC | Так | |