APTGT50TDU170

APTGT50TDU170, APTGT50TDU170PG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрAPTGT50TDU170PG
Корпус мікросхеми
Корпус
SP6
Виробник
Виробник
Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<70 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.7 кВ
Потужність
P
<310 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<250 мкА
Вхідна ємність IGBT
Cies
4.4 нФVce = 25V
Наявність NTC термістора
NTC
Ні