На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APTGT50A170D1G | APTGT50A170T1G | APTGT50A170TG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Модуль | SP1 Module | SP4 Module |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <70 А | <75 А | <75 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <1.7 кВ | ||
Потужність | P | <310 Вт | <312 Вт | <312 Вт |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | ||
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A | ||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <6 мА | <250 мкА | <250 мкА |
Тип збірки IGBT | Тип | Half Bridge | ||
Вхідна ємність IGBT | Cies | 4.4 нФVce = 25V | ||
Наявність NTC термістора | NTC | Ні | Так | Так |