APTGT50A120

APTGT50A120, APTGT50A120D1G, APTGT50A120T1G, APTGT50A120TG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрAPTGT50A120D1GAPTGT50A120T1GAPTGT50A120TG
Корпус мікросхеми
Корпус
МодульSP1 ModuleSP4 Module
Виробник
Виробник
Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<75 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Потужність
P
<270 Вт<277 Вт<277 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.1 ВVge, Ic = 15V, 50A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<5 мА<250 мкА<250 мкА
Тип збірки IGBT
Тип
Half Bridge
Вхідна ємність IGBT
Cies
3.6 нФVce = 25V
Наявність NTC термістора
NTC
НіТакТак