На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APTGT200DH120G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SP6 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <280 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <1.2 кВ |
Потужність | P | <890 Вт |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.1 ВVge, Ic = 15V, 200A |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <350 мкА |
Тип збірки IGBT | Тип | Asymmetrical Bridge |
Вхідна ємність IGBT | Cies | 14 нФVce = 25V |
Наявність NTC термістора | NTC | Ні |