APTGT100DU60

APTGT100DU60, APTGT100DU60TG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрAPTGT100DU60TG
Корпус мікросхеми
Корпус
SP4 Module
Виробник
Виробник
Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<150 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В
Потужність
P
<340 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<1.9 ВVge, Ic = 15V, 100A
Струм відсічення колектора
Ifrc
<250 мкА
Тип збірки IGBT
Тип
Dual, Common Source
Вхідна ємність IGBT
Cies
6.1 нФVce = 25V
Наявність NTC термістора
NTC
Так