STGW30NC60

STGW30NC60, STGW30NC60KD, STGW30NC60VD, STGW30NC60W, STGW30NC60WD

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTGW30NC60KDSTGW30NC60VDSTGW30NC60WSTGW30NC60WD
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-247-3
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<60 А<80 А<60 А<60 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В
Потужність
P
<200 Вт<250 Вт<200 Вт<200 Вт
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.7 ВVge, Ic = 15V, 20A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 20A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 20A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 20A
Серія IGBT
Серія
PowerMESH™