На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STGD8NC60KDT4 | STGD8NC60KT4 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <15 А | |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В | |
Потужність | P | <62 Вт | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.75 ВVge, Ic = 15V, 3A | |
Серія IGBT | Серія | PowerMESH™ | |