На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STGD3NB60FT4 | STGD3NB60HDT4 | STGD3NB60SD-1 | STGD3NB60SDT4 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <6 А | <10 А | <6 А | <6 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В | |||
Потужність | P | <60 Вт | <50 Вт | <48 Вт | <48 Вт |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | |||
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.4 ВVge, Ic = 15V, 3A | <2.8 ВVge, Ic = 15V, 3A | <1.5 ВVge, Ic = 15V, 3A | <1.5 ВVge, Ic = 15V, 3A |
Серія IGBT | Серія | PowerMESH™ | |||