STGD10NC60

STGD10NC60, STGD10NC60HDT4, STGD10NC60HT4, STGD10NC60KDT4, STGD10NC60KT4, STGD10NC60SDT4, STGD10NC60ST4

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTGD10NC60HDT4STGD10NC60HT4STGD10NC60KDT4STGD10NC60KT4STGD10NC60SDT4STGD10NC60ST4
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<20 А<20 А<20 А<20 А<18 А<18 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В
Потужність
P
<62 Вт<60 Вт<60 Вт<60 Вт<60 Вт<60 Вт
Тип каналу польового транзистора
Канал
(не задано)N-chN-chN-ch(не задано)(не задано)
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A<1.65 ВVge, Ic = 15V, 5A<1.65 ВVge, Ic = 15V, 5A
Серія IGBT
Серія
PowerMESH™PowerMESH™PowerMESH™PowerMESH™(не задано)(не задано)