На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STGB19NC60HDT4 | STGB19NC60KDT4 | STGB19NC60KT4 | STGB19NC60WT4 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (3 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (3 leads + tab) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <40 А | <35 А | <35 А | <40 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В | |||
Потужність | P | <130 Вт | <125 Вт | <125 Вт | <130 Вт |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | |||
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A | <2.75 ВVge, Ic = 15V, 12A | <2.75 ВVge, Ic = 15V, 12A | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A |
Серія IGBT | Серія | PowerMESH™ | |||