STGB10NB40LZT4

STGB10NB40, STGB10NB40LZT4

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTGB10NB40LZT4
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<20 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<440 В
Потужність
P
<150 Вт
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Тип входу IGBT
Вхід
Logic
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<1.8 ВVge, Ic = 4.5V, 10A
Серія IGBT
Серія
PowerMESH™