NGD8205NT4G

NGD8205NT4, NGD8205NT4G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNGD8205NT4G
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<20 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<390 В
Потужність
P
<125 Вт
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Тип входу IGBT
Вхід
Logic
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<1.9 ВVge, Ic = 4.5V, 20A