IXST35N120B

IXST35N120, IXST35N120B

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXST35N120B
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-268
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<70 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Потужність
P
<300 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<3.6 ВVge, Ic = 15V, 35A