На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXGT32N170A | IXGT32N170 T&R | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-268 | |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <32 А | <75 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <1.7 кВ | |
Потужність | P | <350 Вт | |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <5 ВVge, Ic = 15V, 21A | <3.3 ВVge, Ic = 15V, 32A |