IXGB75N60BD1

IXGB75N60BD1

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXGB75N60BD1
Корпус мікросхеми
Корпус
3-PLUS264™
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<120 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В
Потужність
P
<360 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.3 ВVge, Ic = 15V, 75A
Серія IGBT
Серія
HiPerFAST™