На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXBT10N170 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-268 |
Виробник | Виробник | IXYS |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <20 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <1.7 кВ |
Потужність | P | <140 Вт |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <3.8 ВVge, Ic = 15V, 10A |
Серія IGBT | Серія | BIMOSFET™ |