IXBH9N160G

IXBH9N160, IXBH9N160G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXBH9N160G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-247AD
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<9 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.6 кВ
Потужність
P
<100 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<7 ВVge, Ic = 15V, 5A
Серія IGBT
Серія
BIMOSFET™