HGTP2N120

HGTP2N120, HGTP2N120CN

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрHGTP2N120CN
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<13 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Потужність
P
<104 Вт
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 2.6A