На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HGTG5N120BND | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <21 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <1.2 кВ |
Потужність | P | <167 Вт |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.7 ВVge, Ic = 15V, 5A |