На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HGTG11N120CN | HGTG11N120CND | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <43 А | |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <1.2 кВ | |
Потужність | P | <298 Вт | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.4 ВVge, Ic = 15V, 11A | |