На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HGT1S7N60A4DS | HGT1S7N60C3DS | HGT1S7N60C3DS9A | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <34 А | <14 А | <14 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В | ||
Потужність | P | <125 Вт | <60 Вт | <60 Вт |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | ||
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.7 ВVge, Ic = 15V, 7A | <2 ВVge, Ic = 15V, 7A | <2 ВVge, Ic = 15V, 7A |